ILVerteq1078234.5.1 1069347.3 Si tratta di un sistema di trasformatore di adattamento di impedenza RF ad alta frequenza progettato per applicazioni specializzate di pulizia megasonica nella produzione di semiconduttori. Agisce come una rete di bilanciamento passivo in linea posizionata tra un generatore acustico centrale ad alta frequenza e un array di trasduttori piezoelettrici montati su quarzo. Adattando dinamicamente le caratteristiche del carico elettrico e annullando l'impedenza reattiva, il modulo garantisce la massima conversione di potenza in avanti, mantiene una distribuzione uniforme delle onde acustiche all'interno delle vasche del fluido di processo e protegge i driver elettronici complessi dalla pericolosa energia delle onde riflesse.

Livello di impedenza primaria:

50 Ω (Ohm)

Spettro di frequenza di risonanza:

Da 830 kHz a 870 kHz

Ambiente operativo:

da 15 °C a +40 °C

Tensione RF massima (V_RMS):

Da 150 V a 300 V RMS

Capacità di corrente RF (I_RMS):

Da 3A a 8A RMS

Uniformità dell'onda acustica:Ottimizza l'erogazione di energia acustica per prevenire la formazione di "punti caldi" o zone morte localizzate all'interno del serbatoio del fluido chimico, garantendo una pulizia uniforme su tutta la superficie del substrato.

Soppressione dell'energia riflessa:Riduce efficacemente il rapporto di onda stazionaria di tensione (VSWR) a un valore prossimo a 1:1, impedendo che l'energia di ritorno si trasformi in calore distruttivo all'interno del generatore RF a monte.

Prevenzione dei danni ai wafer:Stabilizza le soglie di cavitazione ad alta frequenza per rimuovere in sicurezza le particelle organiche sub-microniche senza fratturare le delicate strutture dei wafer con elevato rapporto d'aspetto.

Alloggiamenti resistenti alla corrosione:Incapsulato in materiali ad elevata purezza e chimicamente inerti, compatibili con gli ambienti chimici aggressivi delle camere bianche e dei banchi a umido.